半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。最近中科院半导体所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中，设计并实现了一种含隧道结构的大功率量子阱激光器宽谱光源。其初步研究结果以“Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser”为题发表在Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, （2014）上。该研究报导被国际著名杂志《Nature Photonics》（2014年9月1日出版）作为十大“亮点论文”进行了报道，称该项研究对超短脉冲光源和多波长调谐光源方面的研究具有重要意义。 
        该研究和通常的发光二极管、激光二极管的不同点在于其采用MOCVD方法生长InGaAs/GaAs量子阱有源区时，增加了GaAs的反向隧道结构，提高了器件的增益和特征温度。第一次实现了InGaAs/GaAs 量子阱的宽谱激光器，中心波长1060 nm，脉冲激射功率50 mW，光谱宽度为38 nm。半导体研究所的此项研究对宽谱激光源的大功率输出，降低成本，促进宽谱光源技术具有重要意义。